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CMPEXP
高效CMP建模與仿真工具

CMPEXP簡介

化學(xué)機械拋光(即Chemical Mechanical Planarization CMP)是集成電路制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),結(jié)合了化學(xué)反應(yīng)和機械研磨來實現(xiàn)硅片表面的高度平坦化。
隨著集成電路制造工藝的演進迭代,芯片在制造各階段的表面平坦度嚴重影響產(chǎn)品成品率及性能,其影響通過多層疊加和版圖特征效應(yīng)更加突出,如何實現(xiàn)CMP步驟的仿真、建模和優(yōu)化,一直是保障芯片成品率的重要挑戰(zhàn)。廣立微CMPEXP可保障芯片的可制造性和成品率,解決行業(yè)的痛點。

產(chǎn)品優(yōu)勢

多元化的CMP及相關(guān)工藝模型種類
支持基于接觸力學(xué)的物理模型
支持新興的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)機器學(xué)習(xí)模型
支持模型客制化
高效的模型調(diào)參
引入多種先進的調(diào)參數(shù)學(xué)算法,為提供高效的模型調(diào)參體驗
工具流程

 

 

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設(shè)計優(yōu)勢

 

  • 版圖幾何特征提取方法優(yōu)化,提升模型仿真準(zhǔn)確性
  • 提升模型的泛化性,拓寬工藝適用范圍
  • 模型自動校準(zhǔn)算法優(yōu)化,減少了校準(zhǔn)迭代次數(shù),提高了模型校準(zhǔn)效率
  • 模型仿真器優(yōu)化,創(chuàng)新的使用了可變步長的仿真迭代器,提高仿真效率
  • 機器學(xué)習(xí)提高模型的仿真精度和校準(zhǔn)效率