1.WAT 測(cè)試
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數(shù)據(jù)準(zhǔn)確:測(cè)試數(shù)據(jù)可與市面上Baseline機(jī)臺(tái)match
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高效生產(chǎn)能力:測(cè)試速度為市面上Baseline 1.4x-5x
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支持多類工藝wafer測(cè)試:涵蓋LOGIC、CIS、DRAM、SRAM、FLASH、RO、BCD等;
算法庫(kù)豐富:支持ID/VT/VTGM/IOFF/ISUB/BV/CAP/CV/IV/ICP,BETA/VBE/BVCEO/BVCBO/BVEBO,R2/RKLV/LK/CAP_METAL,IREAD/ISTANDBY/IDDQ/WM/SNM,ERASE/PROGRAM,IDDA/IDDQ/FREQ等
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軟件及算法靈活可定制
2.WLR 測(cè)試
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數(shù)據(jù)準(zhǔn)確:測(cè)試數(shù)據(jù)可與市面上Baseline機(jī)臺(tái)match
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支持HCI/ BTI/ VRAMP/ JRAMP/ VTDDB/ JTDDB/ EM/ PID/ SM/ ICP等 WLR 測(cè)試
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可根據(jù)測(cè)試需求進(jìn)行定制化開發(fā),如添加特定的監(jiān)測(cè)模式,VRAMP測(cè)試過(guò)程輸出四端Curve等
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支持智能化并行測(cè)試,大幅度提升測(cè)試速度
目前,廣立微可基于行業(yè)通用的JEDEC或客戶定制標(biāo)準(zhǔn)提供半導(dǎo)體工藝可靠性相關(guān)咨詢、驗(yàn)證、測(cè)試及數(shù)據(jù)分析服務(wù), 測(cè)試項(xiàng)目包括:
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柵氧完整性(GOI Vramp/TDDB/Jramp)
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熱載流子注入(HCI)
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負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)等
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亦可提供高壓及并行可靠性測(cè)試,提高測(cè)試效率,縮短客戶工藝調(diào)試周期。
自主研發(fā)高性能硬件配置方案,未來(lái)將逐步增加測(cè)試設(shè)備種類,拓展到其他測(cè)試應(yīng)用場(chǎng)景。
自此,廣立微出具的校準(zhǔn)報(bào)告,能在全球100多個(gè)國(guó)家和地區(qū)互認(rèn),可為全球客戶提供極具公信力的校準(zhǔn)證明,為客戶提供更可靠、更權(quán)威的技術(shù)支持。
此次廣立微成功獲得國(guó)家校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室CNAS認(rèn)可資質(zhì),標(biāo)志著我司在計(jì)量校準(zhǔn)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大突破,全面提升了公司的綜合技術(shù)服務(wù)實(shí)力與行業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。廣立微將依托國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的校準(zhǔn)體系,為客戶提供更具公信力、精準(zhǔn)度和時(shí)效性的全維度校準(zhǔn)解決方案。